Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 54; Issue 11
Main
Solid-State Electronics
Volume 54; Issue 11
Solid-State Electronics
Volume 54; Issue 11
1
AlGaN/GaN MOSHFETs with HfO2 gate oxide: A simulation study
Y. Hayashi
,
S. Sugiura
,
S. Kishimoto
,
T. Mizutani
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 793 KB
Ваші теги:
english, 2010
2
Analysis of subthreshold photo-leakage current in ZnO thin-film transistors using indium-ion implantation
Yudai Kamada
,
Shizuo Fujita
,
Takahiro Hiramatsu
,
Tokiyoshi Matsuda
,
Mamoru Furuta
,
Takashi Hirao
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 596 KB
Ваші теги:
english, 2010
3
On the possibility of improving silicon solar cell efficiency through impurity photovoltaic effect and compensation
Akeed A. Pavel
,
M. Rezwan Khan
,
N.E. Islam
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 910 KB
Ваші теги:
english, 2010
4
Retention modeling of nanocrystalline flash memories: A Monte Carlo approach
Bahniman Ghosh
,
Hai Liu
,
Brian Winstead
,
Mark C. Foisy
,
Sanjay K. Banerjee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 413 KB
Ваші теги:
english, 2010
5
Mechanical bending effect on the photo leakage currents characteristic of amorphous silicon thin film transistors
M.C. Wang
,
S.W. Tsao
,
T.C. Chang
,
Y.P. Lin
,
Po-Tsun Liu
,
J.R. Chen
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 289 KB
Ваші теги:
english, 2010
6
Solvent dependent behaviour of poly(9-vinylcarbazole)-based polymer light emitting diodes
J.L. Alonso
,
J.C. Ferrer
,
A. Salinas-Castillo
,
R. Mallavia
,
S. Fernández de Ávila
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 332 KB
Ваші теги:
english, 2010
7
Crystallographic orientation effects on the performance of InP-based heterojunction bipolar transistors
R. Driad
,
R. Lösch
,
F. Benkhelifa
,
M. Kuri
,
J. Rosenzweig
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 888 KB
Ваші теги:
english, 2010
8
Characteristics of current distribution by designed electrode patterns for high power ThinGaN LED
S.H. Tu
,
J.C. Chen
,
F.S. Hwu
,
G.J. Sheu
,
F.L. Lin
,
S.Y. Kuo
,
J.Y. Chang
,
C.C. Lee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.42 MB
Ваші теги:
english, 2010
9
Analytical current equation for short channel SOI multigate FETs including 3D effects
Alexander Kloes
,
Michaela Weidemann
,
Mike Schwarz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 631 KB
Ваші теги:
english, 2010
10
Study of current collapse by quiescent-bias-stresses in rf-plasma assisted MBE grown AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors
S. Arulkumaran
,
G.I. Ng
,
C.H. Lee
,
Z.H. Liu
,
K. Radhakrishnan
,
N. Dharmarasu
,
Z. Sun
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 526 KB
Ваші теги:
english, 2010
11
Improving the cell characteristics using arch-active profile in NAND flash memory having 60 nm design-rule
Daewoong Kang
,
Hyungcheol Shin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 908 KB
Ваші теги:
english, 2010
12
Development of Time-resolved UV Micro-Raman Spectroscopy to measure temperature in AlGaN/GaN HEMTs
O. Lancry
,
E. Pichonat
,
J. Réhault
,
M. Moreau
,
R. Aubry
,
C. Gaquière
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 256 KB
Ваші теги:
english, 2010
13
Variable temperature characterization of low-dimensional effects in tri-gate SOI MOSFETs
C. Barrett
,
D. Lederer
,
G. Redmond
,
W. Xiong
,
J.P. Colinge
,
A.J. Quinn
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 710 KB
Ваші теги:
english, 2010
14
Bipolar magnetotransistor sensor with digital output
R.D. Tikhonov
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 301 KB
Ваші теги:
english, 2010
15
High breakdown AlGaN/GaN MOSHEMT with thermal oxidized Ni/Ti as gate insulator
Zhihua Dong
,
Jinyan Wang
,
C.P. Wen
,
Danian Gong
,
Ying Li
,
Min Yu
,
Yilong Hao
,
Fujun Xu
,
Bo Shen
,
Yangyuan Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 467 KB
Ваші теги:
english, 2010
16
Sensitivity analysis of magnetic field sensors utilizing spin-dependent recombination in silicon diodes
Albrecht Jander
,
Pallavi Dhagat
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 750 KB
Ваші теги:
english, 2010
17
Impact of transparent conductive oxide on the admittance of thin film solar cells
F. Principato
,
G. Cannella
,
S. Lombardo
,
M. Foti
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 371 KB
Ваші теги:
english, 2010
18
A versatile compact model for ballistic 1D transistor: GNRFET and CNTFET comparison
Sébastien Frégonèse
,
Cristell Maneux
,
Thomas Zimmer
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 571 KB
Ваші теги:
english, 2010
19
Infrared light emitting device with two color emission
Naresh C. Das
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 307 KB
Ваші теги:
english, 2010
20
Turn-on voltage engineering and enhancement mode operation of AlGaN/GaN high electron mobility transistor using multiple heterointerfaces
N. Tripathi
,
V. Jindal
,
F. Shahedipour-Sandvik
,
S. Rajan
,
A. Vert
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 517 KB
Ваші теги:
english, 2010
21
Impact of circuit assist methods on margin and performance in 6T SRAM
Randy W. Mann
,
Jiajing Wang
,
Satyanand Nalam
,
Sudhanshu Khanna
,
Geordie Braceras
,
Harold Pilo
,
Benton H. Calhoun
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 794 KB
Ваші теги:
english, 2010
22
Modeling local electrical fluctuations in 45 nm heavily pocket-implanted bulk MOSFET
Cecilia M. Mezzomo
,
Aurelie Bajolet
,
Augustin Cathignol
,
Emmanuel Josse
,
Gérard Ghibaudo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 537 KB
Ваші теги:
english, 2010
23
Comparison of positive and negative bias-temperature instability on MOSFETs with HfO2/LaOx and HfO2/AlOx dielectric stacks
Chun-Chang Lu
,
Kuei-Shu Chang-Liao
,
Che-Hao Tsao
,
Tien-Ko Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.02 MB
Ваші теги:
english, 2010
24
Exploiting magnetic sensing capabilities of Short Split-Drain MAGFETs
Gerard F. Santillan-Quiñonez
,
Victor Champac
,
Roberto S. Murphy
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 843 KB
Ваші теги:
english, 2010
25
Reconfigurable Special Test Circuit of physics-based IGBT models parameter extraction
Marco A. Rodríguez
,
Abraham Claudio
,
Maria Cotorogea
,
Leobardo H. González
,
Jesús Aguayo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 2.03 MB
Ваші теги:
english, 2010
26
Scaling projections for Sb-based p-channel FETs
M.G. Ancona
,
B.R. Bennett
,
J.B. Boos
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.22 MB
Ваші теги:
english, 2010
27
Multiple gate NVM cells with improved Fowler–Nordheim tunneling program and erase performances
C. Gerardi
,
E. Tripiciano
,
G. Cinà
,
S. Lombardo
,
C. Garozzo
,
D. Corso
,
G. Betrò
,
C. Pace
,
F. Crupi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 990 KB
Ваші теги:
english, 2010
28
Accurate small signal modeling and extraction of silicon MOSFET for RF IC application
Yang Tang
,
Li Zhang
,
Yan Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 615 KB
Ваші теги:
english, 2010
29
Selection of gate length and gate bias to make nanoscale metal–oxide-semiconductor transistors less sensitive to both statistical gate length variation and temperature variation
Peizhen Yang
,
W.S. Lau
,
Seow Wei Lai
,
V.L. Lo
,
S.Y. Siah
,
L. Chan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.25 MB
Ваші теги:
english, 2010
30
Editorial Board
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 64 KB
Ваші теги:
english, 2010
31
A new analytical high frequency noise parameter model for AlGaN/GaN HEMT
Xiaoxu Cheng
,
Yan Wang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 349 KB
Ваші теги:
english, 2010
32
A consistent model for oxide trap profiling with the Trap Spectroscopy by Charge Injection and Sensing (TSCIS) technique
Moonju Cho
,
Robin Degraeve
,
Philippe Roussel
,
Bogdan Govoreanu
,
Ben Kaczer
,
Mohammed B. Zahid
,
Eddy Simoen
,
Antonio Arreghini
,
Malgorzata Jurczak
,
Jan Van Houdt
,
Guido Groeseneken
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.09 MB
Ваші теги:
english, 2010
33
Fabrication of self-aligned TFTs with a ultra-low temperature polycrystalline silicon process on metal foils
Jaehyun Moon
,
Yong-Hae Kim
,
Dong-Jin Park
,
Choong-Heui Chung
,
Seung-Youl Kang
,
Jin-Ho Lee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 881 KB
Ваші теги:
english, 2010
34
2D analytical calculation of the electrostatic potential in lightly doped Schottky barrier Double-Gate MOSFET
Mike Schwarz
,
Michaela Weidemann
,
Alexander Kloes
,
Benjamín Iñíguez
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.60 MB
Ваші теги:
english, 2010
35
An analytical model for square GAA MOSFETs including quantum effects
E. Moreno
,
J.B. Roldán
,
F.G. Ruiz
,
D. Barrera
,
A. Godoy
,
F. Gámiz
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.13 MB
Ваші теги:
english, 2010
36
Unified large and small signal non-quasi-static model for long channel symmetric DG MOSFET
Sudipta Sarkar
,
Ananda S. Roy
,
Santanu Mahapatra
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 903 KB
Ваші теги:
english, 2010
37
Proximity effects of beryllium-doped GaN buffer layers on the electronic properties of epitaxial AlGaN/GaN heterostructures
D.F. Storm
,
D.S. Katzer
,
D.A. Deen
,
R. Bass
,
D.J. Meyer
,
J.A. Roussos
,
S.C. Binari
,
T. Paskova
,
E.A. Preble
,
K.R. Evans
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 412 KB
Ваші теги:
english, 2010
38
A new vertical MOSFET “Vertical Logic Circuit (VLC) MOSFET” suppressing asymmetric characteristics and realizing an ultra compact and robust logic circuit
Koji Sakui
,
Tetsuo Endoh
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.14 MB
Ваші теги:
english, 2010
39
The effect of photodiode shape on charge transfer in CMOS image sensors
Bhumjae Shin
,
Sangsik Park
,
Hyuntaek Shin
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 973 KB
Ваші теги:
english, 2010
40
Self-consistent 1-D Schrödinger–Poisson solver for III–V heterostructures accounting for conduction band non-parabolicity
Lingquan Wang
,
Peter M. Asbeck
,
Yuan Taur
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 509 KB
Ваші теги:
english, 2010
41
Comparison and improvement of two core compact models for double-gate MOSFETs
Xingye Zhou
,
Zhize Zhou
,
Jian Zhang
,
Lining Zhang
,
Chenyue Ma
,
Jin He
,
Xing Zhang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 339 KB
Ваші теги:
english, 2010
42
Analysis of transient behavior of AlGaN/GaN MOSHFET
Y. Hayashi
,
S. Kishimoto
,
T. Mizutani
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 983 KB
Ваші теги:
english, 2010
43
Influence of sputtering pressure on morphological, mechanical and electrical properties of Al-doped ZnO films
J.P. Kar
,
S. Kim
,
B. Shin
,
K.I. Park
,
K.J. Ahn
,
W. Lee
,
J.H. Cho
,
J.M. Myoung
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 787 KB
Ваші теги:
english, 2010
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×
