Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 54; Issue 5

Solid-State Electronics

Volume 54; Issue 5
6

Compact capacitance modeling of a 3-terminal FET at zero drain–source voltage

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 165 KB
english, 2010
7

Substrate-free large gap InGaN solar cells with bottom reflector

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 507 KB
english, 2010
9

Explicit quantum potential and charge model for double-gate MOSFETs

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 881 KB
english, 2010
10

Ultrathin DPN STI SiON liner for 40 nm low-power CMOS technology

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 456 KB
english, 2010
12

High efficient organic ultraviolet photovoltaic devices based on gallium complex

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 344 KB
english, 2010
13

DC and RF characterization of AlGaN/GaN HEMTs with different gate recess depths

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 387 KB
english, 2010
14

An alternative passivation approach for AlGaN/GaN HEMTs

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 874 KB
english, 2010
15

Editorial Board

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 66 KB
english, 2010
17

Nitride-based blue light-emitting diodes with multiple MgxNy/GaN buffer layers

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 603 KB
english, 2010
19

Surface-potential-based compact modeling of dynamically depleted SOI MOSFETs

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.02 MB
english, 2010
21

Analysis of subthreshold conduction in short-channel recessed source/drain UTB SOI MOSFETs

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 568 KB
english, 2010
22

Contact resistance between Au and solution-processed CNT

Рік:
2010
Мова:
english
Файл:
PDF, 641 KB
english, 2010