Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 76

Solid-State Electronics

Volume 76
1

A feedback silicon-on-insulator steep switching device with gate-controlled carrier injection

Wan, J., Cristoloveanu, S., Le Royer, C., Zaslavsky, A.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 519 KB
english, 2012
11

Special correlation of photoluminescent peak of porous silicon with its resistivity

Verma, Daisy, Singh, S.N., Singh, P.K., Mehdi, S.S., Husain, M.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 771 KB
english, 2012
12

Hard breakdown mechanisms of compensated p-type and n-type single-crystalline silicon solar cells

Dubois, S., Veirman, J., Enjalbert, N., Scheiblin, P.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 636 KB
english, 2012
14

Explicit model for direct tunneling current in double-gate MOSFETs through a dielectric stack

Chaves, Ferney, Jiménez, David, Suñé, Jordi
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.06 MB
english, 2012
15

A highly sensitive methane sensor with nickel alloy microheater on micromachined Si substrate

Roy, S., Sarkar, C.K., Bhattacharyya, P.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 607 KB
english, 2012
16

Enhanced DC model for GaN HEMT transistors with built-in thermal and trapping effects

Birafane, A., Aflaki, P., Kouki, A.B., Ghannouchi, F.M.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.16 MB
english, 2012
17

Frequency response of LaAlO3/SrTiO3 all-oxide field-effect transistors

Liu, Qingmin, Dong, Lin, Liu, Yiqun, Gordon, Roy, Ye, Peide D., Fay, Patrick, Seabaugh, Alan
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 483 KB
english, 2012
18

A physics based compact model of I–V and C–V characteristics in AlGaN/GaN HEMT devices

Khandelwal, Sourabh, Fjeldly, T.A.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 947 KB
english, 2012
19

CIGS formation by high temperature selenization of metal precursors in H2Se atmosphere

Liang, Haifan, Avachat, Upendra, Liu, Wei, van Duren, Jeroen, Le, Minh
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.17 MB
english, 2012
20

Synthesis and ethanol sensing properties of SnO2 nanosheets via a simple hydrothermal route

Lou, Zheng, Wang, Lili, Wang, Rui, Fei, Teng, Zhang, Tong
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 672 KB
english, 2012
21

Quantitative evaluation of gettering efficiencies in device process after p-well formation

Lee, Sung-Wook, Lee, Sang-Hak, Hwang, Don-Ha, Kang, Hee-Bog
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 503 KB
english, 2012
24

Performance improvement of low-temperature a-SiGe:H thin-film transistors

Dominguez, Miguel, Rosales, Pedro, Torres, Alfonso
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 307 KB
english, 2012
25

Editorial Board

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 64 KB
english, 2012