Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 8; Issue 5

Solid-State Electronics

Volume 8; Issue 5
1

Influence of carrier concentration gradients and mobility gradients on galvanomagnetic effects in semiconductors

I. Hlásnik
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 397 KB
english, 1965
2

Structure and galvanomagnetic properties of two-phase recrystallised InSb-In layers

H.H. Wieder, A.R. Clawson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 749 KB
english, 1965
3

Das verhalten von GaAs-laserdioden bei hohen strahlungsleistungen

H.J. Henkel, E. Klein, H. Kuckuck
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Файл:
PDF, 329 KB
1965
4

Formation of thin film circuits using preferential nucleation

H.L. Caswell, Y. Budo
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 427 KB
english, 1965
5

Mechanism for reverse-biased breakdown radiation in p-n junctions

J. Shewchun, L.Y. Wei
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 689 KB
english, 1965
6

Double-injection experiments in semi-insulating silicon diodes

J.L. Wagener, A.G. Milnes
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 1002 KB
english, 1965
7

PbS thin film transistors

W.B. Pennebaker
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 625 KB
english, 1965
8

The effect of p-region carrier concentration on the electrical characteristics of germanium epitaxial tunnel diodes

R. Glicksman, R.M. Minton
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 216 KB
english, 1965
9

Semiconductor network analysis and design: Vasil Uzunoglu: McGraw-Hill, N.Y., 1964, 363 pp. and index, $12.50

R.F. Shea
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1965
Мова:
english
Файл:
PDF, 84 KB
english, 1965