Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 9; Issue 3

Solid-State Electronics

Volume 9; Issue 3
1

High injection theories of the p−n junction in the charge neutrality approximation

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.35 MB
english, 1966
2

Measurement of resistivity and mobility in silicon epitaxial layers on a control wafer

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 635 KB
english, 1966
3

High mobility thin films of indium antimonide vacuum deposited on to a cold substrate

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 748 KB
english, 1966
4

Field effect studies of the oxidized silicon surface

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 964 KB
english, 1966
5

The operation of graded band gap base transistors at high currents

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 455 KB
english, 1966
6

Ein UHF-transistor mit basisquerfeld für das frequenzgebiet um 1000 MHz

Рік:
1966
Файл:
PDF, 856 KB
1966
7

Some computed and measured characteristics of CdS space-charge-limited diodes

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 838 KB
english, 1966
8

Observation of double injection in long p+p+ diffused silicon junctions and some related effects

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 692 KB
english, 1966
10

CW X-band GaAs microwave generators

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 161 KB
english, 1966
11

The optimized performance of a thermoelectric generator with the Thomson effect

Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 240 KB
english, 1966