Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 9; Issue 6

Solid-State Electronics

Volume 9; Issue 6
1

The effect of pressure on Gunn phenomena in gallium arsenide

M.P. Wasse, J. Lees, G. King
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 335 KB
english, 1966
2

Negative photoconductivity associated with impurity conduction in germanium

E.A. Davis
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 300 KB
english, 1966
3

Influence of damaged surface layer on resistivity and mobility of thin semiconductor sheets

H. Frank
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 481 KB
english, 1966
4

Photo-stimulated radiation dosimetry

K. Miyashita, H.K. Henisch
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 275 KB
english, 1966
5

Tin and zinc diffusion into gallium arsenide from doped silicon dioxide layers

W. von Muench
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 444 KB
english, 1966
6

Identification of satellite peaks in injection luminescence from gallium arsenide transistors

R.A. Chapman, W.G. Hutchinson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 723 KB
english, 1966
7

Semiconducting properties of several IIIB-VB-VIB ternary materials and their metallurgical aspects

K. Kurata, T. Hirai
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 661 KB
english, 1966
8

Criteria for the design of active filters using resistance and capacitance elements in feedback circuits

L. Scott
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 682 KB
english, 1966
9

A proposal for use of “Tandel” to obtain optimal temperature of electro-optical devices

Đ.D. Bugarinović
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 194 KB
english, 1966
10

Effect of ferroelectric polarization on insulated-gate thin-film transistor parameters

R. Zuleeg, H.H. Wieder
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 330 KB
english, 1966
11

On the mechanism of electrolytic rectification

J.C.W. Kruishoop
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 214 KB
english, 1966
12

Crystal mosaic structures and the lasing properties of GaAs laser diodes

D.A. Shaw, K.A. Hughes, N.F.B. Neve, D.V. Sulway, P.R. Thornton, C. Gooch
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 213 KB
english, 1966
13

Reflection type microwave modulators

R.E. Hayes
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 260 KB
english, 1966
14

Gallium arsenide four-layer device

W. von Münch
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 143 KB
english, 1966
15

Conference report

Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 284 KB
english, 1966