Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 9; Issue 8

Solid-State Electronics

Volume 9; Issue 8
1

Gallium arsenide-phosphide: Crystal, diffusion and laser properties

C.J. Nuese, G.E. Stillman, M.D. Sirkis, N. Holonyak Jr.
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.54 MB
english, 1966
2

Appraisal of semiconductor-metal-semiconductor transistor

S.M. Sze, H.K. Gummel
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Файл:
PDF, 1.29 MB
1966
3

Infrared interference spectra observed in silicon epitaxial wafers

K. Sato, Y. Ishikawa, K. Sugawara
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 787 KB
english, 1966
4

Surface effects on p-n junctions: Characteristics of surface space-charge regions under non-equilibrium conditions

A.S. Grove, D.J. Fitzgerald
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.68 MB
english, 1966
5

Control of diffusion induced dislocations in phosphorus diffused silicon

R.A. McDonald, G.G. Ehlenberger, T.R. Huffman
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 378 KB
english, 1966
6

Surface space-charge barriers on semiconducting barium titanate

J. Holt
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 427 KB
english, 1966
7

Chemically sprayed thin film photovoltaic converters

R.R. Chamberlin, J.S. Skarman
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 352 KB
english, 1966
8

Work function aluminum-aluminum oxide

J. Antula
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 177 KB
english, 1966
9

Isolated GaAs transistors on high-resistivity GaAs substrate

W. von Munch, H. Statz, A.E. Blakeslee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 190 KB
english, 1966
10

The preparation of high purity gallium arsenide by the Czochralski method

W.K. Liebmann, G. Kampschulte
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1966
Мова:
english
Файл:
PDF, 278 KB
english, 1966