Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 33; Issue 4

IEEE Electron Device Letters

Volume 33; Issue 4
1

Lift-Off Photolithographic Top-Contact OTFTs Using a Bilayer of PVA and SU8

Soyoun Jung, Yeon Gyu Choo, Taeksoo Ji
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 444 KB
english, 2012
2

Selective-Area High-Quality Germanium Growth for Monolithic Integrated Optoelectronics

Hyun-Yong Yu, Jin-Hong Park, Okyay, A.K., Saraswat, K.C.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 256 KB
english, 2012
5

A Self-Rectifying -Based Unipolar RRAM With NiSi Electrode

Tran, X.A., Zhu, W.G., Gao, B., Kang, J.F., Liu, W.J., Fang, Z., Wang, Z.R., Yeo, Y.C., Nguyen, B.Y., Li, M.F., Yu, H.Y.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 449 KB
english, 2012
9

A Thermocouple-Based Self-Heating RF Power Sensor With GaAs MMIC-Compatible Micromachining Technology

Zhiqiang Zhang, Xiaoping Liao
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 517 KB
english, 2012
11

Evidence for a Very Small Tunneling Effective Mass (0.03) in MOSFET High- (HfSiON) Gate Dielectrics

Ming-Jer Chen, Chih-Yu Hsu
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 504 KB
english, 2012
14

Double HBT With Weakly Type-II Base/Collector Junction

Yu-Chung Chin, Hao-Hsiung Lin, Chao-Hsing Huang
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 445 KB
english, 2012
19

A Two-Mask Process for Fabrication of Bottom-Gate IGZO-Based TFTs

Hyun-Seok Uhm, Sang-Hyuk Lee, Won Kim, Jin-Seok Park
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 439 KB
english, 2012
20

Characteristics of Thin-Film Transistors Fabricated on Fluorinated Zinc Oxide

Zhi Ye, Man Wong
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 230 KB
english, 2012
21

In Situ Co/SiC(N,H) Capping Layers for Cu/Low- k Interconnects

Yang, C.-C., Li, B., Shobha, H., Nguyen, S., Grill, A., Ye, W., AuBuchon, J., Shek, M., Edelstein, D.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 301 KB
english, 2012
22

Super-High-Frequency SAW Resonators on AlN/Diamond

Rodriguez-Madrid, J.G., Iriarte, G.F., Pedros, J., Williams, O.A., Brink, D., Calle, F.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 270 KB
english, 2012
24

Dual-Gate MOSFET With Atomic-Layer-Deposited as Top-Gate Dielectric

Han Liu, Ye, P.D.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 225 KB
english, 2012
25

Quaternary Enhancement-Mode HFET With In Situ SiN Passivation

Ketteniss, N., Behmenburg, H., Hahn, H., Noculak, A., Hollander, B., Kalisch, H., Heuken, M., Vescan, A.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 121 KB
english, 2012
27

Defect Loss: A New Concept for Reliability of MOSFETs

Duan, M., Zhang, J.F., Ji, Z., Zhang, W., Kaczer, B., De Gendt, S., Groeseneken, G.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 259 KB
english, 2012
29

Very Fast and Primingless Single-Crystal-Diamond X-Ray Dosimeters

Trucchi, D.M., Allegrini, P., Calvani, P., Galbiati, A., Oliver, K., Conte, G.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 398 KB
english, 2012
31

RF Planar Inductor Electrical Performances on n-Type Porous 4H Silicon Carbide

Gautier, G., Capelle, M., Billoue, J., Cayrel, F., Poveda, P.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 264 KB
english, 2012
33

Planar InAs/AlSb HEMTs With Ion-Implanted Isolation

Moschetti, G., Nilsson, P.-A., Hallen, A., Desplanque, L., Wallart, X., Grahn, J.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 240 KB
english, 2012
34

Correlation Between Oxide Trap Generation and Negative-Bias Temperature Instability

Boo, A.A., Ang, D.S., Teo, Z.Q., Leong, K.C.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 314 KB
english, 2012
36

Blue-Light-Sensitive Phototransistor for Indirect X-Ray Image Sensors

Esmaeili-Rad, M.R., Papadopoulos, N.P., Bauza, M., Nathan, A., Wong, W.S.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 196 KB
english, 2012
38

RF High-Power Operation of AlGaN/GaN HEMTs Epitaxially Grown on Diamond

Hirama, K., Kasu, M., Taniyasu, Y.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 357 KB
english, 2012
40

Rapid Prediction of RRAM RESET-State Disturb by Ramped Voltage Stress

Wun-Cheng Luo, Kuan-Liang Lin, Jiun-Jia Huang, Chung-Lun Lee, Tuo-Hung Hou
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 367 KB
english, 2012
42

InP HBT Transferred to Higher Thermal Conductivity Substrate

Scott, D.W., Monier, C., Wang, S., Radisic, V., Phuong Nguyen, Cavus, A., Deal, W.R., Gutierrez-Aitken, A.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 341 KB
english, 2012
43

Effective Passivation of AlGaN/GaN HEMTs by ALD-Grown AlN Thin Film

Sen Huang, Qimeng Jiang, Shu Yang, Chunhua Zhou, Chen, K.J.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 495 KB
english, 2012
44

Fabrication of 100-nm Metamorphic AlInAs/GaInAs HEMTs Grown on Si Substrates by MOCVD

Ming Li, Haiou Li, Chak Wah Tang, Kei May Lau
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 406 KB
english, 2012
45

High Signal-to-Noise Ratio Avalanche Photodiodes With Perimeter Field Gate and Active Readout

Dandin, M., Abshire, P.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 385 KB
english, 2012
48

Realization of Unidirectional Planar GaAs Nanowires on GaAs (110) Substrates

Dowdy, R., Walko, D.A., Fortuna, S.A., Xiuling Li
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 263 KB
english, 2012
50

Changes to the Editorial Board

Chatterjee, A.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 34 KB
english, 2012
51

The Peer-Review Process and EDS Golden List of Reviewers

Saha, S. K.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 39 KB
english, 2012
52

Changes to the Editorial Board

Chatterjee, A.
Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 15 KB
2012
53

Table of Contents

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 62 KB
english, 2012
54

IEEE Electron Devices Society Meetings Calendar for 2012 (As of 29 February 2012)

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 54 KB
english, 2012
55

Table of Contents

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 66 KB
english, 2012
56

[Blank page - back cover]

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 5 KB
2012
57

IEEE Electron Device Letters information for authors

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 30 KB
english, 2012
58

IEEE Electron Device Letters publication information

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Мова:
english
Файл:
PDF, 50 KB
english, 2012
59

Special issue on advanced modeling of power devices and their applications

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 119 KB
2012
60

3rd International Symposium on Reliability of Optoelectronics for Space (ISROS 2012)

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 515 KB
2012
61

Themed issue on thermoelectrics

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 1.75 MB
2012
62

2012 IEEE Compound Semiconductor IC Symposium

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 913 KB
2012
63

2011 conference advance program

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 876 KB
2012
64

2012 EDS J.J. Ebers Award Call for Nominations

Журнал:
IEEE Electron Device Letters
Рік:
2012
Файл:
PDF, 38 KB
2012