High-power lasers (λ = 940–980 nm) based on asymmetric GaInAs/GaInAsP/AlGaAs separate-confinement heterostructure
D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, V. A. Kapitonov, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, N. A. Rudova, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, M. A. Khomylev, I.Том:
40
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1134/s1063782606060224
Date:
June, 2006
Файл:
PDF, 217 KB
english, 2006
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
