Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 40; Issue 6

Main
Semiconductors
Volume 40; Issue 6

Semiconductors

Volume 40; Issue 6

1

Effect of irradiation with reactor neutrons and the temperature of subsequent heat treatment on the structure of InP single crystals

V. M. Boĭko, V. T. Bublik, M. I. Voronova, N. G. Kolin, D. I. Merkurisov, K. D. Shcherbatchev

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 289 KB

english, 2006

2

Diffusion of terbium in silicon

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 147 KB

english, 2006

3

Numerical simulation of the dynamics of phase transitions in CdTe induced by irradiation with nanosecond pulses of an excimer laser

S. P. Zhvavyi, G. L. Zykov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 163 KB

english, 2006

4

Electronic properties and bulk moduli of new boron nitride polymorphs, i.e., hyperdiamond B12N12and simple cubic B24N24, B12N12fulborenites

V. V. Pokropivny, V. L. Bekenev

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 324 KB

english, 2006

5

Nonmonotonic behavior of magnetophotoconductivity inp-CdHgTe

D. Yu. Protasov, V. Ya. Kostyuchenko, V. N. Ovsyuk

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 189 KB

english, 2006

6

Electrical characteristics of CdTe:Pb single crystals at high temperatures

P. M. Fochuk, O. A. Parfenyuk, O. E. Panchuk

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 170 KB

english, 2006

7

The effect of electromotive-force generation on electrical properties of thin samarium sulfide films

V. V. Kaminskiĭ, M. M. Kazanin, S. M. Solov’ev, N. V. Sharenkova, N. M. Volodin

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 223 KB

english, 2006

8

Special features of conductivity mechanisms in heavily dopedn-ZrNiSn intermetallic semiconductors

V. A. Romaka, M. G. Shelyapina, Yu. K. Gorelenko, D. Fruchart, Yu. V. Stadnyk, L. P. Romaka, V. F. Chekurin

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 250 KB

english, 2006

9

Photoluminescence in the Pb1−xCdxSe polycrystalline layers activated in the presence of iodine vapor

A. E. Gamarts, V. A. Moshnikov, D. B. Chesnokova

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 205 KB

english, 2006

10

Radiative lifetimes of electrons and holes in a thin semiconductor layer

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 148 KB

english, 2006

11

Magnetooptical properties of quantum wells withD(−)centers

V. D. Krevchik, A. B. Grunin, Vas. V. Evstifeev

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 224 KB

english, 2006

12

Self-consistent calculation of tunneling current inw-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures

S. N. Grinyaev, A. N. Razzhuvalov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 208 KB

english, 2006

13

Charge accumulation effects in quantum-well structures

A. V. Gierus, T. G. Gierus

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 210 KB

english, 2006

14

An X-ray diffraction and electron-microscopic study of the influence of gamma radiation on multilayer AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures

A. V. Bobyl, A. A. Gutkin, P. N. Brunkov, I. A. Zamoryanskaya, M. A. Yagovkina, Yu. G. Musikhin, D. A. Sakseev, S. G. Konnikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, P. S. Kopjev, V. T. Punin, R. I. Ilkaev, Zh

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 180 KB

english, 2006

15

Analysis of frequency dependences of conductance of MIS structures with the fluctuation-and tunneling-based theoretical models taken into account

N. A. Avdeev, V. A. Gurtov, I. V. Klimov, R. A. Yakovlev

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 177 KB

english, 2006

16

Electrical and gas-sensitive properties of a resistive thin-film sensor based on tin dioxide

O. V. Anisimov, V. I. Gaman, N. K. Maksimova, S. M. Mazalov, E. V. Chernikov

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 214 KB

english, 2006

17

Problems of efficiency of photoelectric conversion in thin-film CdS/CdTe solar cells

L. A. Kosyachenko

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 331 KB

english, 2006

18

Effect of the design and technology factors on electrical characteristics of the Au/Ti-n-GaAs Schottky diodes

D. N. Zakharov, V. M. Kalygina, A. V. Netudykhatko, A. V. Panin

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 259 KB

english, 2006

19

Diffusion-barrier contacts based on the TiN and Ti(Zr)Bxinterstitial phases in the microwave diodes for the range of 75–350 GHz

N. S. Boltovets, V. N. Ivanov, A. E. Belyaev, R. V. Konakova, Ya. Ya. Kudrik, V. V. Milenin, I. N. Arsent’ev, A. V. Bobyl, P. N. Brunkov, I. S. Tarasov, A. A. Tonkikh, V. P. Ulin, V. V. Ustinov, G. E.

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 182 KB

english, 2006

20

Luminescence spectra, efficiency, and color characteristics of white-light-emitting diodes based onp-nInGaN/GaN heterostructures with phosphor coatings

M. L. Badgutdinov, E. V. Korobov, F. A. Luk’yanov, A. É. Yunovich, L. M. Kogan, N. A. Gal’china, I. T. Rassokhin, N. P. Soshchin

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 222 KB

english, 2006

21

High-power lasers (λ = 940–980 nm) based on asymmetric GaInAs/GaInAsP/AlGaAs separate-confinement heterostructure

D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, V. V. Shamakhov, V. A. Kapitonov, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskiĭ, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, N. A. Rudova, Z. N. Sokolova, S. O. Slipchenko, M. A. Khomylev, I.

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 217 KB

english, 2006

22

Flip-chip LEDs with deep mesa emitting at 4.2 µm

N. V. Zotova, N. D. Il’inskaya, S. A. Karandashev, B. A. Matveev, M. A. Remennyi, N. M. Stus’

Журнал:

Рік:

2006

Мова:

english

Файл:

PDF, 248 KB

english, 2006