Growth of GaN on SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy
C.D. Lee, Ashutosh Sagar, R.M. Feenstra, W.L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J.W.P. HsuТом:
188
Рік:
2001
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1002/1521-396x(200112)188:23.0.co;2-s
Файл:
PDF, 188 KB
english, 2001