Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Growth of GaN on SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy

Growth of GaN on SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy

C.D. Lee, Ashutosh Sagar, R.M. Feenstra, W.L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J.W.P. Hsu
Наскільки Вам сподобалась ця книга?
Яка якість завантаженого файлу?
Скачайте книгу, щоб оцінити її якість
Яка якість скачаних файлів?
Том:
188
Рік:
2001
Мова:
english
Сторінки:
5
DOI:
10.1002/1521-396x(200112)188:23.0.co;2-s
Файл:
PDF, 188 KB
english, 2001
Виконується конвертація в
Конвертація в не вдалась