Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 188; Issue 2

physica status solidi (a)

Volume 188; Issue 2
1

New Iodide Method for Growth of GaN

M. Suscavage, L. Bouthillette, D. Bliss, Sheng Qi Wang, Changmo Sung
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 120 KB
english, 2001
2

Observation of Dark Spots and Dark Lines of GaN Microcrystals Grown by Nitridation of Gallium Sulfide

H. Kanie, K. Sugimoto, H. Okado
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 132 KB
english, 2001
3

GaN Growth on Novel Lattice-Matching Substrate: Tilted M-Plane Sapphire

T. Matsuoka, E. Hagiwara
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 139 KB
english, 2001
4

Recent Advances in III-Nitride Devices Grown on Lithium Gallate

W.A. Doolittle, A.S. Brown, S. Kang, S.W. Seo, S. Huang, N.M. Jokerst
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 195 KB
english, 2001
5

Crystal Growth of GaN on (Mn,Zn)Fe2O4 Substrates

J. Ohta, H. Fujioka, H. Takahashi, M. Oshima
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 74 KB
english, 2001
7

Micro-Raman Study of Wurtzite AlN Layers Grown on Si(111)

J. Gleize, F. Demangeot, J. Frandon, M.A. Renucci, M. Kuball, F. Semond, J. Massies
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 95 KB
english, 2001
12

Crack-Free Thick GaN Layers on Silicon (111) by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

E. Feltin, B. Beaumont, M. Laügt, P. de Mierry, P. Vennéguès, M. Leroux, P. Gibart
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 148 KB
english, 2001
14

Growth Mechanism of Hexagonal GaN on AlAs-Pregrown GaAs(001) and {11n} Substrates

M. Funato, Sz. Fujita, S. Yamamoto, K. Kaisei, K. Shimogami, Sg. Fujita
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 102 KB
english, 2001
15

Comparison of GaN Buffer Layers Grown on GaAs (111)A and (111)B Surfaces

Y. Kumagai, H. Murakami, H. Seki, A. Koukitu
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 104 KB
english, 2001
16

Ab initio Calculations of GaN Initial Growth Processes on GaAs(111)A and GaAs(111)B Surfaces

Y. Matsuo, Y. Kumagai, T. Irisawa, A. Koukitu
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 97 KB
english, 2001
21

Molecular-Beam Epitaxy of GaN: A Phase Diagram

C. Adelmann, J. Brault, E. Martinez-Guerrero, G. Mula, H. Mariette, Le Si Dang, B. Daudin
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 134 KB
english, 2001
22

First-Principle Theoretical Study on Epitaxial Crystal Growth of GaN

S. Murata, M. Ikenaga, K. Nakamura, A. Tachibana, K. Matsumoto
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 102 KB
english, 2001
23

Suppression of Spiral Growth in Molecular Beam Epitaxy of GaN on Vicinal 6H-SiC(0001)

Y. Cui, L. Li
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 438 KB
english, 2001
24

GaN Growth by Compound Source MBE Using GaN Powder

T. Honda, K. Sato, T. Hashimoto, M. Shinohara, H. Kawanishi
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 169 KB
english, 2001
25

Near Bandedge Cathodoluminescence Studies of AlN Films: Dependence on MBE Growth Conditions

Y. Shishkin, R.P. Devaty, W.J. Choyke, F. Yun, T. King, H. Morkoç
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 84 KB
english, 2001
26

Growth of GaN on SiC(0001) by Molecular Beam Epitaxy

C.D. Lee, Ashutosh Sagar, R.M. Feenstra, W.L. Sarney, L. Salamanca-Riba, J.W.P. Hsu
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 188 KB
english, 2001
28

Ammonia Source MBE Growth of Polycrystalline GaN p–n Junction

H. Tampo, K. Yamada, K. Ohnishi, Y. Imanishi, K. Asami, H. Asahi
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 93 KB
english, 2001
29

Surface Segregation in Group-III Nitride MBE

S.Yu. Karpov, Yu.N. Makarov
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 98 KB
english, 2001
31

Growth of GaN Layers by One-, Two-, and Three-Flow Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

K. Ohkawa, A. Hirako, M. Yoshitani
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 201 KB
english, 2001
32

A New “Three-Step Method” for High Quality MOVPE Growth of III-Nitrides on Sapphire

A. Yoshikawa, K. Takahashi
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 274 KB
english, 2001
33

An Oxygen Doped Nucleation Layer for the Growth of High Optical Quality GaN on Sapphire

B. Kuhn, F. Scholz
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 88 KB
english, 2001
34

Gas-Phase and Surface Reactions in a Horizontal Reactor for GaN MOVPE Growth

K. Harafuji
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 164 KB
english, 2001
39

The Growth of GaN Using Plasma Assisted Metalorganic Vapour Phase Epitaxy

R.P. Campion, T. Li, C.T. Foxon, I. Harrison
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 96 KB
english, 2001
40

UV Moderation of Nitride Films during Remote Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition

K.S.A. Butcher, Afifuddin, P.P.-T. Chen, E.M. Goldys, T.L. Tansley
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 85 KB
english, 2001
41

Atomic Layer Epitaxy of Hexagonal and Cubic GaN Nanostructures

C. Adelmann, E. Martinez-Guerrero, J. Barjon, J. Brault, Le Si Dang, H. Mariette, G. Mula, B. Daudin
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 93 KB
english, 2001
42

Structural Control of Cubic and Hexagonal GaN by Changing the Electric Bias during ECR-MBE Growth

T. Araki, T. Minami, M. Kijima, Y. Nanishi
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 128 KB
english, 2001
43

Defect States in Cubic GaN Epilayer Grown on GaAs by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy

S.J. Xu, C.T. Or, Q. Li, L.X. Zheng, M.H. Xie, S.Y. Tong, Hui Yang
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 89 KB
english, 2001
44

A New Approach to the Growth of Cubic GaN Films Using an AlN/GaN Ordered Alloy as a Buffer Layer

R. Kimura, J. Shike, A. Shigemori, K. Ishida, K. Takahashi
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 81 KB
english, 2001
47

p-Type Doping of Cubic GaN by Carbon

D.J. As, U. Köhler, M. Lübbers, J. Mimkes, K. Lischka
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 85 KB
english, 2001
50

Selective Area Growth of GaN on SiC Substrate by Ammonia-Source MBE

H. Tang, J.A. Bardwell, J.B. Webb, S. Rolfe, S. Moisa, J. Fraser, S. Raymond, P. Sikora
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 115 KB
english, 2001
51

Selective Area Growth of GaN and Fabrication of GaN/AlGaN Quantum Wells on Grown Facets

C. Setiagung, J. Wu, K. Onabe, Y. Shiraki
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 125 KB
english, 2001
52

Fabrication and Optical Characterization of Facet-Controlled ELO (FACELO) GaN by LP-MOVPE

H. Miyake, M. Narukawa, K. Hiramatsu, H. Naoi, Y. Iyechika, T. Maeda
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 119 KB
english, 2001
54

Epitaxial Lateral Overgrowth of GaN on Silicon (111)

E. Feltin, B. Beaumont, P. Vennéguès, T. Riemann, J. Christen, J.P. Faurie, P. Gibart
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 444 KB
english, 2001
55

Formation of Horizontal Dislocations in Epitaxially Lateral Overgrown (ELO) GaN

S. Nishimoto, K. Horibuchi, K. Oki, N. Kuwano, H. Miyake, K. Hiramatsu
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 146 KB
english, 2001
57

Stress at the Coalescence Boundary of Epitaxial Lateral Overgrown GaN

M. Kuball, M. Benyoucef, B. Beaumont, P. Gibart
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 168 KB
english, 2001
60

Effect of Reactive Ambient on AlN Sublimation Growth

S.Yu. Karpov, A.V. Kulik, A.S. Segal, M.S. Ramm, Yu.N. Makarov
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 124 KB
english, 2001
61

Characterization of Aluminum Nitride Crystals Grown by Sublimation

L. Liu, D. Zhuang, B. Liu, Y. Shi, J.H. Edgar, S. Rajasingam, M. Kuball
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 348 KB
english, 2001
63

Spontaneous Ridge Formation and Its Effect on Field Emission of Heavily Si-Doped AlN

M. Kasu, N. Kobayashi
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 289 KB
english, 2001
64

Growth of AIN on Etched 6H-SiC(0001) Substrates via MOCVD

W. Hageman, Z. Xie, J. Edgar, D. Zhuang, S. Jagganathan, J. Chaudhuri, A. Rys, J. Schmitt
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 90 KB
english, 2001
65

Determination of Band-Gap Bowing for AlxGa1–xN Alloys

O. Katz, B. Meyler, U. Tisch, J. Salzman
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 87 KB
english, 2001
66

Measurement of AlxGa1-xN Refractive Indices

G. Webb-Wood, Ü. Özgür, H.O. Everitt, F. Yun, H. Morkoç
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 99 KB
english, 2001
68

Surface Morphology of AlxGa1–xN Films Grown by MOCVD

L. Geng, F.A. Ponce, S. Tanaka, H. Omiya, Y. Nakagawa
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 213 KB
english, 2001
70

Observations of Segregation of Al in AlGaN Alloys

L. Chang, S.K. Lai, F.R. Chen, J.J. Kai
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 200 KB
english, 2001
71

Temperature Dependence of Transmission and Emission Spectra in MOCVD-Grown AlGaN Ternary Alloys

Yong-Hoon Cho, G.H. Gainer, J.B. Lam, J.J. Song, W. Yang
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 122 KB
english, 2001
72

Determination of Alloy Composition and Residual Stress for AlxGa1–xN/GaN Epitaxial Films

Q. Paduano, D. Weyburne, S-Q. Wang
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 86 KB
english, 2001
73

Growth and Characterization of GaN/AlGaN Superlattices for Near-Infrared Intersubband Transitions

H.M. Ng, C. Gmachl, T. Siegrist, S.N.G. Chu, A.Y. Cho
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 197 KB
english, 2001
74

Mapping the Internal Potential across GaN/AlGaN Heterostructures by Electron Holography

J. Cai, F.A. Ponce, S. Tanaka, H. Omiya, Y. Nakagawa
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 113 KB
english, 2001
76

Photoconductivity Studies of Al0.18Ga0.82N/GaN Single Heterostructure

M. Niehus, R. Schwarz, S. Koynov, P. Sanguino, M. Heuken, B.K. Meyer
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 216 KB
english, 2001
78

Effect of Well Thickness on GaN/AlGaN Separate Confinement Heterostructure Emission

G. Gainer, Y. Kwon, J. Lam, S. Bidnyk, A. Kalashyan, J. Song, S. Choi, G. Yang
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 94 KB
english, 2001
82

Structure Dependence of Electron Mobility in GaN/AlGaN Multiple Quantum Wells

K. Hoshino, T. Someya, Y. Arakawa
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 95 KB
english, 2001
85

Influence of Doping Profiles on p-type AlGaN/GaN Superlattices

E. Waldron, J. Graff, E. Schubert
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 101 KB
english, 2001
88

Direct Growth of Amorphous Silicon Oxide Nanowires and Crystalline Silicon Nanowires from Silicon Wafer

S. Jin, Q. Li, C.S. Lee
Журнал:
physica status solidi (a)
Рік:
2001
Мова:
english
Файл:
PDF, 70 KB
english, 2001