Electrostatic Discharge Effects in Ultrathin Gate Oxide MOSFETs
Cester, A., Gerardin, S., Tazzoli, A., Meneghesso, G.Том:
6
Мова:
english
Журнал:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
DOI:
10.1109/tdmr.2006.871413
Date:
March, 2006
Файл:
PDF, 327 KB
english, 2006
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
