Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 6; Issue 1

IEEE Transactions on Device and Materials Reliability

Volume 6; Issue 1
4

ESD Failure Mechanisms of Analog I/O Cells in 0.18-$muhboxm$CMOS Technology

M. Ker, S. Chen, C. Chuang
Журнал:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.35 MB
english, 2006
6

Rapid Diagnostics of ASIC Circuit Marginalities Using Dynamic Laser Stimulation

Liao, J.Y., Woods, G.L., Marks, H.L.
Журнал:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 604 KB
english, 2006
9

Electrostatic Discharge Effects in Ultrathin Gate Oxide MOSFETs

Cester, A., Gerardin, S., Tazzoli, A., Meneghesso, G.
Журнал:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 327 KB
english, 2006
11

Reversible Off-State Breakdown Walkout in Passivated AlGaAs/InGaAs PHEMTs

Tang, W.-B., Hsin, Y.-M.
Журнал:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 180 KB
english, 2006
14

Ultrathin Gate-Oxide Breakdown—Reversibility at Low Voltage

Cheung, K.P.
Журнал:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 271 KB
english, 2006
15

Enhancement in Ultrathin Oxide Growth by Thermal-Induced Tensile Stress

Hung, C.-J., Hwu, J.-G.
Журнал:
IEEE Transactions on Device and Materials Reliability
Рік:
2006
Мова:
english
Файл:
PDF, 322 KB
english, 2006