Current drift mechanism in In0.53Ga0.47As depletion mode metal-insulator field-effect transistors
Taillepied, M., Gourrier, S.Том:
48
Рік:
1986
Мова:
english
Журнал:
Applied Physics Letters
DOI:
10.1063/1.96629
Файл:
PDF, 448 KB
english, 1986