Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 48; Issue 15

Applied Physics Letters

Volume 48; Issue 15
1

Frequency and power limit of quantum well oscillators

Jogai, B., Wang, K. L., Brown, K. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 536 KB
english, 1986
2

Configurationally multistable defect in silicon

Chantre, A., Kimerling, L. C.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 451 KB
english, 1986
4

Picosecond recombination of charged carriers in GaAs

McLean, D. G., Roe, M. G., D’Souza, A. I., Wigen, P. E.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 404 KB
english, 1986
6

Proton isolated In0.2Ga0.8As/GaAs strained-layer superlattice avalanche photodiode

Bulman, G. E., Myers, D. R., Zipperian, T. E., Dawson, L. R.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 491 KB
english, 1986
7

Preprocessing heat treatment of metal-insulator-semiconductor solar cells

Wong, Dick Y. F., Lam, Y. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 405 KB
english, 1986
8

Metastability and polarization effects in a pn heterojunction device due to deep states

Stavola, Michael, Capasso, F., Nabity, J. C., Alavi, K., Cho, A. Y.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 492 KB
english, 1986
10

Direct frequency modulation of vapor phase transported, distributed feedback semiconductor lasers

Vodhanel, R. S., Cheung, N. K., Koch, T. L.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 454 KB
english, 1986
11

GexSi1−x strained-layer superlattice waveguide photodetectors operating near 1.3 μm

Temkin, H., Pearsall, T. P., Bean, J. C., Logan, R. A., Luryi, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 511 KB
english, 1986
13

Observations of the Rayleigh–Taylor instability in laser imploded microballoons

Wark, J. S., Kilkenny, J. D., Cole, A. J., Key, M. H., Rumsby, P. T.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 499 KB
english, 1986
15

Current drift mechanism in In0.53Ga0.47As depletion mode metal-insulator field-effect transistors

Taillepied, M., Gourrier, S.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 448 KB
english, 1986
16

Amorphous silicon p-i-n-i-p and n-i-p-i-n diodes

Dresner, Joseph
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 408 KB
english, 1986
21

Low-temperature annealed contacts to very thin GaAs epilayers

Patrick, W., Mackie, W. S., Beaumont, S. P., Wilkinson, C. D. W.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 466 KB
english, 1986
22

Visible-laser photodeposition of chromium oxide films and single crystals

Arnone, C., Rothschild, M., Black, J. G., Ehrlich, D. J.
Журнал:
Applied Physics Letters
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 560 KB
english, 1986