MESFET fabrication and hall mobility measurements in LPE-grown InxGa1−xP layers lattice-matched to GaAs
R.H. Johnson, M.H. WeicholdТом:
29
Рік:
1986
Мова:
english
Сторінки:
4
DOI:
10.1016/0038-1101(86)90185-1
Файл:
PDF, 448 KB
english, 1986
File converter
Більше результатів пошуку
More benefits 
