Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 29; Issue 8
Main
Solid-State Electronics
Volume 29; Issue 8
Solid-State Electronics
Volume 29; Issue 8
1
Profiling of stress induced interface states in short channel MOSFETs using a composite charge pumping technique
H. Haddara
,
S. Cristoloveanu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 590 KB
Ваші теги:
english, 1986
2
A technique for modelling p-n junction depletion capacitance of multiple doping regions in integrated circuits
Raymond Pinkham
,
Daniel F. Anderson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 448 KB
Ваші теги:
english, 1986
3
On the temperature coefficient of the MOSFET threshold voltage
F.M. Klaassen
,
W. Hes
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 244 KB
Ваші теги:
english, 1986
4
Analysis of the current-voltage characteristic of solar cells
D. Fuchs
,
H. Sigmund
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 460 KB
Ваші теги:
english, 1986
5
Relationship between short channel behavior and long term stability of n-channel enhancement and depletion MOSFETs
F. Bauer
,
P. Balk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.13 MB
Ваші теги:
english, 1986
6
The role of the device surface in the high voltage behaviour of the GaAs MESFET
T.M. Barton
,
P.H. Ladbrooke
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 721 KB
Ваші теги:
english, 1986
7
Lateral motion of the inversion layer of MOS structures in regions of variable doping density and oxide thickness
G.A. Hawkins
,
J.P. Lavine
,
E.A. Trabka
,
B.C. Burkey
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 986 KB
Ваші теги:
english, 1986
8
Defect structure and generation of interface states in MOS structures
L. Do Thanh
,
M. Aslam
,
P. Balk
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.22 MB
Ваші теги:
english, 1986
9
Current-voltage characteristics of proton-bombarded AuGaAs contacts
J.I. Ejimanya
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 405 KB
Ваші теги:
english, 1986
10
Flying-spot scanning for the separate mapping of resistivity and minority-carrier lifetime in silicon
H. Bleichner
,
E. Nordlander
,
G. Fiedler
,
P.A. Tove
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 687 KB
Ваші теги:
english, 1986
11
MESFET fabrication and hall mobility measurements in LPE-grown InxGa1−xP layers lattice-matched to GaAs
R.H. Johnson
,
M.H. Weichold
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 448 KB
Ваші теги:
english, 1986
12
Editorial — Software survey section
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 118 KB
Ваші теги:
english, 1986
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×