Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 29; Issue 8

Solid-State Electronics

Volume 29; Issue 8
1

Profiling of stress induced interface states in short channel MOSFETs using a composite charge pumping technique

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 590 KB
english, 1986
3

On the temperature coefficient of the MOSFET threshold voltage

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 244 KB
english, 1986
4

Analysis of the current-voltage characteristic of solar cells

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 460 KB
english, 1986
5

Relationship between short channel behavior and long term stability of n-channel enhancement and depletion MOSFETs

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.13 MB
english, 1986
6

The role of the device surface in the high voltage behaviour of the GaAs MESFET

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 721 KB
english, 1986
8

Defect structure and generation of interface states in MOS structures

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.22 MB
english, 1986
9

Current-voltage characteristics of proton-bombarded AuGaAs contacts

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 405 KB
english, 1986
10

Flying-spot scanning for the separate mapping of resistivity and minority-carrier lifetime in silicon

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 687 KB
english, 1986
11

MESFET fabrication and hall mobility measurements in LPE-grown InxGa1−xP layers lattice-matched to GaAs

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 448 KB
english, 1986
12

Editorial — Software survey section

Рік:
1986
Мова:
english
Файл:
PDF, 118 KB
english, 1986