Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 123

Solid-State Electronics

Volume 123

1

Ultra-thin 20nm-PECVD-Si3N4 surface passivation in T-shaped gate InAlAs/InGaAs InP-based HEMTs and its impact on DC and RF performance

Ding, Peng, Chen, Chen, Ding, Wuchang, Yang, Feng, Su, Yongbo, Wang, Dahai, Jin, Zhi

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.41 MB

english, 2016

2

Improved modeling of GaN HEMTs for predicting thermal and trapping-induced-kink effects

Jarndal, Anwar, Ghannouchi, Fadhel M.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.74 MB

english, 2016

3

Effect of high-k and vacuum dielectrics as gate stack on a junctionless cylindrical surrounding gate (JL-CSG) MOSFET

Sharma, Aniruddh, Jain, Arushi, Pratap, Yogesh, Gupta, R.S.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.74 MB

english, 2016

4

Extraction of parasitic and channel resistance components in FinFETs using TCAD tools

Narayanan, Sudarshan, Banghart, Edmund, Zeitzoff, Peter, Korablev, Konstantin, Pandey, Shesh Mani, Gendron-Hansen, Amaury, Benistant, Francis

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.75 MB

english, 2016

5

Design and experiment of 4H-SiC JBS diodes achieving a near-theoretical breakdown voltage with non-uniform floating limiting rings terminal

Yuan, Hao, Song, Qingwen, Tang, Xiaoyan, Zhang, Yimeng, Zhang, Yimen, Zhang, Yuming

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.51 MB

english, 2016

6

Performance and carrier transport analysis of In0.7Ga0.3As quantum-well MOSFETs with Al2O3/HfO2 gate stack

Son, Seung-Woo, Park, Jung-Ho, Baek, Ji-Min, Kim, Jin Su, Kim, Do-Kywn, Shin, Seung Heon, Banerjee, S.K., Lee, Jung-Hee, Kim, Tae-Woo, Kim, Dae-Hyun

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.53 MB

english, 2016

7

New Y-function based MOSFET parameter extraction method from weak to strong inversion range

Henry, J.B., Rafhay, Q., Cros, A., Ghibaudo, G.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 497 KB

english, 2016

8

A high efficiency C-band internally-matched harmonic tuning GaN power amplifier

Lu, Y., Zhao, B.C., Zheng, J.X., Zhang, H.S., Zheng, X.F., Ma, X.H., Hao, Y., Ma, P.J.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.55 MB

english, 2016

9

Determining the base resistance of InP HBTs: An evaluation of methods and structures

Nardmann, Tobias, Krause, Julia, Pawlak, Andreas, Schroter, Michael

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 885 KB

english, 2016

10

Enhancement of photo-response via surface plasmon resonance induced by Ag nano-particles embedded in ZnO

Li, Gaoming, Zhang, Jingwen, Chen, Guangde, Ye, Honggang, Duan, Xiangyang, Hou, Xun

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.48 MB

english, 2016

11

Influence of annealing in H atmosphere on the electrical properties of Al2O3 layers grown on p-type Si by the atomic layer deposition technique

Kolkovsky, Vl., Stübner, R., Langa, S., Wende, U., Kaiser, B., Conrad, H., Schenk, H.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.22 MB

english, 2016

12

Comparative analysis of the intrinsic voltage gain and unit gain frequency between SOI and bulk FinFETs up to high temperatures

Oliveira, Alberto Vinicius de, Agopian, Paula Ghedini Der, Martino, Joao Antonio, Simoen, Eddy, Claeys, Cor, Collaert, Nadine, Thean, Aaron

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.14 MB

english, 2016

13

Effects of buffer layer and thermal annealing on the performance of hybrid Cu2S/PVK electrically bistable devices

Li, Xu, Lu, Yue, Guan, Li, Li, Jiantao, Wang, Yichao, Dong, Guoyi, Tang, Aiwei, Teng, Feng

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.37 MB

english, 2016

14

Modeling of diffusion mechanism of conductive channel oxidation in a Pt/NiO/Pt memory switching structure

Sysun, V.I., Bute, I.V., Boriskov, P.P.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.57 MB

english, 2016

15

Analytical model of LDMOS with a double step buried oxide layer

Yuan, Song, Duan, Baoxing, Cao, Zhen, Guo, Haijun, Yang, Yintang

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 637 KB

english, 2016

16

Electric-field dependence of electron drift velocity in 4H–SiC

Ivanov, P.A., Potapov, A.S., Samsonova, T.P., Grekhov, I.V.

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 619 KB

english, 2016

17

Kilohertz organic complementary inverters driven by surface-grafting conducting polypyrrole electrodes

Zhang, Xi, Zhang, Suna, Li, Liqiang, Chen, Xiaosong, Xu, Zeyang, Wu, Kunjie, Li, Hongwei, Meng, Yancheng, Wang, Wenchong, Hu, Wenping, Chi, Lifeng

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 862 KB

english, 2016

18

Process optimizations to recessed e-SiGe source/drain for performance enhancement in 22nm all-last high-k/metal-gate pMOSFETs

Qin, Changliang, Wang, Guilei, Hong, Peizhen, Liu, Jinbiao, Yin, Huaxiang, Yin, Haizhou, Ma, Xiaolong, Cui, Hushan, Lu, Yihong, Meng, Lingkuan, Xiang, Jinjuan, Zhong, Huicai, Zhu, Huilong, Xu, Qiuxia,

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.46 MB

english, 2016

19

Comprehensive behavioral model of dual-gate high voltage JFET and pinch resistor

Banáš, Stanislav, Paňko, Václav, Dobeš, Josef, Hanyš, Petr, Divín, Jan

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.84 MB

english, 2016

20

Transport mechanisms of leakage current in Al2O3/InAlAs MOS capacitors

Jin, Chengji, Lu, Hongliang, Zhang, Yimen, Zhang, Yuming, Guan, He, Wu, Lifan, Lu, Bin, Liu, Chen

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 621 KB

english, 2016

21

Editorial Board

Журнал:

Solid-State Electronics

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 55 KB

english, 2016