Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 39; Issue 3

Solid-State Electronics

Volume 39; Issue 3
1

An improved method for extracting the difference between drain and source resistances in MOSFETs

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 204 KB
english, 1996
2

Time dependent hot-carrier induced interface state generation in deep submicron LDD nMOSFETs

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 616 KB
english, 1996
4

Interpretation of experimentally observed C-t responses for copper contaminated devices

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 568 KB
english, 1996
5

Modelling of trap-assisted electronic conduction in thin thermally nitrided oxide films

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 533 KB
english, 1996
6

A new method for MIS/IL silicon solar cell simulation

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 313 KB
english, 1996
7

A design strategy for short gate length SOI MESFETs

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 635 KB
english, 1996
8

Electroluminescence analysis of the structural damage created in SiO2Si systems by Ar ion implantation

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 528 KB
english, 1996
10

Characteristics of camel-gate structures with active doping channel profiles

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 478 KB
english, 1996
11

An instrumental solution to the phenomenon of negative capacitances in semiconductors

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 417 KB
english, 1996
12

Ohmic contacts to n-type and p-type GaSb

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 351 KB
english, 1996
13

Conduction mechanism of oxide-nitride-oxide film formed on the rough polycrystalline silicon surface

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 485 KB
english, 1996
14

Extended thermionic emission-diffusion theory of charge transport through a Schottky diode

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 631 KB
english, 1996
16

Theoretical investigation of planar junction termination

Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 563 KB
english, 1996