Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024
Про збір коштів
пошук книг
книги
пошук статей
статті
Пожертвування:
17.5% досягнуто
Увійти
Увійти
авторизованим користувачам доступні:
персональні рекомедації
Telegram бот
історія завантажувань
надіслати на Email чи Kindle
управління добірками
зберігання у вибране
Особисте
Запити на книги
Вивчення
Журнали
Участь
Підтримати
Litera Library
Пожертвувати паперові книги
Додати паперові книги
Відкрити LITERA Point
Volume 39; Issue 3
Main
Solid-State Electronics
Volume 39; Issue 3
Solid-State Electronics
Volume 39; Issue 3
1
An improved method for extracting the difference between drain and source resistances in MOSFETs
A Ortiz-Conde
,
F.J Garcia Sanchez
,
J.J Liou
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 204 KB
Ваші теги:
english, 1996
2
Time dependent hot-carrier induced interface state generation in deep submicron LDD nMOSFETs
Shi-Ho Kim
,
Kyeong-Sik Min
,
Kwyro Lee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 616 KB
Ваші теги:
english, 1996
3
Hole capture cross section and emission coefficient of defect centers related to high-field-induced positive charges in SiO2 layers
Xiaoping Gao
,
Sinclair S Yee
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 482 KB
Ваші теги:
english, 1996
4
Interpretation of experimentally observed C-t responses for copper contaminated devices
Lichyn Lee
,
Harold G Parks
,
Ronald D Schrimpf
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 568 KB
Ваші теги:
english, 1996
5
Modelling of trap-assisted electronic conduction in thin thermally nitrided oxide films
B.L Yang
,
H Wong
,
Y.C Cheng
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 533 KB
Ваші теги:
english, 1996
6
A new method for MIS/IL silicon solar cell simulation
Koubao Ding
,
Xiumiao Zhang
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 313 KB
Ваші теги:
english, 1996
7
A design strategy for short gate length SOI MESFETs
Chin-Shan Hou
,
Ching-Yuan Wu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 635 KB
Ваші теги:
english, 1996
8
Electroluminescence analysis of the structural damage created in SiO2Si systems by Ar ion implantation
S Bota
,
B Garrido
,
J.R Morante
,
A Baraban
,
P.P Konorov
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 528 KB
Ваші теги:
english, 1996
9
Thermionic diffusion model for abrupt HBTs including self-heating inside the multilayer nonplanar device structure
Jürgen Schneider
,
Eric Koenig
,
Uwe Erben
,
Ulrich Seiler
,
Hermann Schumacher
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 759 KB
Ваші теги:
english, 1996
10
Characteristics of camel-gate structures with active doping channel profiles
Jung-Hui Tsai
,
Wen-Shiung Lour
,
Lih-Wen Laih
,
Rong-Chau Liu
,
Wen-Chau Liu
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 478 KB
Ваші теги:
english, 1996
11
An instrumental solution to the phenomenon of negative capacitances in semiconductors
K.S.A Butcher
,
T.L Tansley
,
D Alexiev
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 417 KB
Ваші теги:
english, 1996
12
Ohmic contacts to n-type and p-type GaSb
A Subekti
,
V.W.L Chin
,
T.L Tansley
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 351 KB
Ваші теги:
english, 1996
13
Conduction mechanism of oxide-nitride-oxide film formed on the rough polycrystalline silicon surface
Naoto Matsuo
,
Akio Sasaki
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 485 KB
Ваші теги:
english, 1996
14
Extended thermionic emission-diffusion theory of charge transport through a Schottky diode
Juraj Racko
,
Alena Grmanová
,
Juraj Breza
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 631 KB
Ваші теги:
english, 1996
15
Negative stress-induced current in oxidized nitride layers of different nitride thicknesses (
Motaharul Kabir Mazumder
,
Kiyoteru Kobayashi
,
Yoji Mashiko
,
Hiroshi Koyama
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 578 KB
Ваші теги:
english, 1996
16
Theoretical investigation of planar junction termination
T Drabe
,
R Sittig
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 563 KB
Ваші теги:
english, 1996
17
Bias and temperature dependencies of base and collector leakage currents of AlGaAsGaAs heterojunction bipolar transistors
J.J Liou
,
S.H Sheu
,
C.I Huang
,
D.C Williamson
Журнал:
Solid-State Electronics
Рік:
1996
Мова:
english
Файл:
PDF, 364 KB
Ваші теги:
english, 1996
1
Перейдіть за
цим посиланням
або знайдіть бот "@BotFather" в Telegram
2
Надішліть команду /newbot
3
Вкажіть ім'я для вашого боту
4
Вкажіть ім'я користувача боту
5
Скопіюйте останнє повідомлення від BotFather та вставте його сюди
×
×