Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Volume 184; Issue 1-2

Thin Solid Films

Volume 184; Issue 1-2
1

Editorial Board

Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 33 KB
english, 1990
2

Boron doping using compound source

Toru Tatsumi
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 647 KB
english, 1990
3

P-type delta doping in silicon MBE

N.L. Mattey, M. Hopkinson, R.F. Houghton, M.G. Dowsett, D.S. McPhail, T.E. Whall, E.H.C. Parker, G.R. Booker, J. Whitehurst
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 244 KB
english, 1990
4

Modulation-doped superlattices with delat layers in silicon

H.P. Zeindl, T. Wegehaupt, I. Eisele
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 546 KB
english, 1990
6

Steep doping profiles obtained by low-energy implantation of arsenic in silicon MBE layers

N. Djebbar, J. Gutierrez, H. Charki, A. Vapaille, G. Prudon, J.C. Dupuy
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 389 KB
english, 1990
8

Characterization of shallow donor-doped silicon molecular beam epitaxial layers by electron spin resonance

J. Dirksmeyer, O.F. Schirmer
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 306 KB
english, 1990
10

Effect of growth temperature on photoluminescence from ion-beam-doped molecular beam epitaxial Si:As

N.L. Rowell, D.C. Houghton, J.-P. Noël, J.E. Greene
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 330 KB
english, 1990
11

Gallium doping of silicon molecular beam epitaxial layers at low temperatures and under Si+ ion bombardment

F. Schäffler, H. Jorke
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 520 KB
english, 1990
12

Coverage measurement in the submonolayer range by in-situ ellipsometry

S. Andrieu, F. Beck, F. Arnaud d'Avitaya
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 374 KB
english, 1990
15

Epitaxial growth of single-crystal Si1−xGex on Si(100) by ion beam sputter deposition

F. Meyer, C. Schwebel, C. Pellet, G. Gautherin, A. Buxbaum, M. Eizenberg, A. Raizman
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 415 KB
english, 1990
16

Phosphorus gas doping in gas source silicon-MBE

Hiroyuki Hirayama, Toru Tatsumi
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 243 KB
english, 1990
17

Electronic quality of vapour phase epitaxial Si grown at reduced temperature

W.Y. Leong, L.T. Canham, I.M. Young, D.J. Robbins
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 339 KB
english, 1990
18

In situ grown or solid phase recrystallized P-doped mono- and polysilicon by r.f. plasma CVD

K. Baert, P. Deschepper, H. Pattyn, A. Rodriguez, J. Nijs, R. Mertens
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 394 KB
english, 1990
19

Photoemission study of low pressure hydrogen and disilane adsorption on Si(111) 7 × 7 and Ge(111)

M. Alaoui, F. Ringeisen, D. Bolmont, J.J. Koulmann
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 342 KB
english, 1990
20

Narrow band gap base heterojunction bipolar transistors using SiGe alloys

S.S. Iyer, G.L. Patton, D.L. Harame, J.M.C. Stork, E.F. Crabbé, B.S. Meyerson
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 644 KB
english, 1990
21

Boron doping of SiGe base of heterobipolar transistors

H. Kibbel, E. Kasper, P. Narozny, H.-U. Schreiber
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 436 KB
english, 1990
22

Infrared resonance excitation of δ-layers-a silicon-based infrared quantum-well detector

G. Tempel, N. Schwarz, F. Müller, F. Koch, H.P. Zeindl, I. Eisele
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 311 KB
english, 1990
23

The p-n diode as a diagnostic tool for silicon molecular beam epitaxy

D.W. Smith, R.F. Houghton, E.H.C. Parker, T.E. Whall
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 315 KB
english, 1990
24

Silicon-based millimeter-wave integrated circuits

Johann-Friedrich Luy
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 873 KB
english, 1990
25

Numerical study of coherent tunneling in a double-barrier structure

H.P. Joosten, H.J.M.F. Noteborn, D. Lenstra
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 381 KB
english, 1990
27

Selective polycrystalline and epitaxial growth by silicon molecular beam epitaxy

C.J. Gibbings, J.R. Davis, M. Hockly, C.G. Tuppen
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 380 KB
english, 1990
28

Si/SiOx/Si hole-barrier fabrication for bipolar transistors using molecular beam deposition

Toru Tatsumi, Taeko Niino, Akira Sakai, Hiroyuki Hirayama, Fumihiko Sato
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 399 KB
english, 1990
29

Two-dimensional electron gas properties of symmetrically strained Si/Si1−xGex quantum well structures

H.-J. Herzog, H. Jorke, F. Schäffler
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 439 KB
english, 1990
30

IV–VI compounds on fluoride/silicon heterostructures and IR devices

H. Zogg, J. Masek, C. Maissen, S. Blunier, H. Weibel
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 312 KB
english, 1990
31

Differential molecular beam epitaxy for multilayered bipolar devices

U. König, M. Kuisl, J.F. Luy, H. Kibbel, F. Schäffler
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 520 KB
english, 1990
33

Reflection high energy electron diffraction study of CoSi2/Si multilayer structures

Q. Ye, T.W. Kang, K.L. Wang, G. Bai, M.-A. Nicolet
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 374 KB
english, 1990
34

Low temperature formation of Si/silicide/Si double heterostructures by self-aligned MBE growth

T. Ohsima, N. Nakamura, K. Nakagawa, M. Miyao
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 561 KB
english, 1990
36

Epitaxy of metal silicides

H. Von Känel, J. Henz, M. Ospelt, J. Hugi, E. Müller, N. Onda, A. Gruhle
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 1.04 MB
english, 1990
37

Reconstruction of hetero-interfaces in MBE: CoSi2(001) on Si(001)

D. Loretto, J.M. Gibson, S.M. Yalisove
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 440 KB
english, 1990
38

Epitaxial growth of CoSi2 on Si(100)

L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont, G. Gewinner
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 375 KB
english, 1990
39

Epitaxial growth of ErSi2 on (111) Si

F.H. Kaatz, M.P. Siegal, W.R. Graham, J. van der Spiegel, J.J. Santiago
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 493 KB
english, 1990
40

Columnar growth of CoSi2 on Si(111), Si(100) and Si(110) by molecular beam epitaxy

R.W. Fathauer, C.W. Nieh, Q.F. Xiao, Shin Hashimoto
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 715 KB
english, 1990
41

Growth of IrSi3 by molecular beam epitaxy

T.L. Lin, C.W. Nieh, Shin Hashimoto, Q.F. Xiao
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 543 KB
english, 1990
42

High resolution electron microscopy study of the ErSi2/Si(111) interface

C. D'Anterroches, P. Perret, F.Arnaud D'Avitaya, J.A. Chroboczek
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 624 KB
english, 1990
43

Surface morphology of TiSi2 on silicon

Hyeongtag Jeon, R.J. Nemanich
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 473 KB
english, 1990
44

Quantum well states in a metal-semiconductor system: CoSi2/Si(111)

L. Haderbache, P. Wetzel, C. Pirri, J.C. Peruchetti, D. Bolmont, G. Gewinner
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 380 KB
english, 1990
45

Oxygen-doped and nitrogen-doped silicon films prepared by molecular beam epitaxy

M. Tabe, M. Takahashi, T. Ichimori, Y. Sakakibara
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 228 KB
english, 1990
46

MBE-grown germanium on sapphire (1102)

D.J. Godbey, S.B. Qadri, M.E. Twigg, E.D. Richmond
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 653 KB
english, 1990
47

Properties of lattice mismatched IIa-fluorides on silicon

S. Blunier, H. Zogg, A. Rüegge
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 408 KB
english, 1990
48

Properties of diamond structure SnGe films grown by molecular beam epitaxy

Alex Harwit, P.R. Pukite, J. Angilello, S.S. Iyer
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 347 KB
english, 1990
51

Structure and chemical bonding at the interfaces GaAs/Si and GaAs/Ge

Pham V. Huong, A. Leycuras
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 261 KB
english, 1990
52

Structural characterization of AlGaAs/GaAs multiquantum-well structures grown on silicon

B. Bartenlian, R. Bisaro, J.-P. Hirtz, M.-N. Charasse, J. Chazelas, A. Rocher
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 398 KB
english, 1990
53

Strain relief of large lattice mismatch heteroepitaxial films on silicon by tilting

L.J. Schowalter, E.L. Hall, N. Lewis, Shin Hashimoto
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 554 KB
english, 1990
54

Prospects and challenges for molecular beam epitaxy in silicon very-large-scale integration

W. Eccleston
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 212 KB
english, 1990
55

Prospects and challenges for SiGe strained-layer epitaxy

T.P. Pearsall
Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Мова:
english
Файл:
PDF, 498 KB
english, 1990
56

Author index

Журнал:
Thin Solid Films
Рік:
1990
Файл:
PDF, 68 KB
1990